IRFP4668PBF IC MOSFET N-Channel 200V 130A 520W Chip de IC eletrônico
IRFP4668PBF
,IC MOSFET de canal N
,Microplaqueta eletrônica do MOSFET IC
Infineon IRFP4668PBF MOSFET de canal N - Alta potência e eficiência
O Infineon IRFP4668PBF é um MOSFET N-Channel de alta potência projetado para oferecer excelente desempenho e eficiência em várias aplicações.Pertence à série HEXFET® e é adequado para utilização como FET único na concepção de circuitosCom uma tensão de descarga para a fonte (Vdss) de 200V, este MOSFET pode lidar com níveis de alta tensão, tornando-o adequado para aplicações exigentes.Tem uma corrente de escoamento contínua (Id) de 130 A a 25 °C (com a temperatura da caixa como referência), permitindo capacidades robustas de manuseio de energia.
IRFP4668PBF MOSFET N-Channel da Infineon - Transistor robusto e de alto desempenho
O MOSFET IRFP4668PBF possui uma baixa resistência de ligação (Rds On) de 9,7 mOhm a uma corrente de drenagem (Id) de 81A e uma tensão de fonte de porta (Vgs) de 10V.Esta baixa resistência de energia minimiza as perdas de energia e melhora a eficiência geral do sistemaFuncionando com uma tensão de limiar da porta-fonte (Vgs ((th)) de 5V a uma Id de 250μA, este MOSFET requer uma tensão de acionamento de até 10V para um desempenho óptimo.Tem uma tensão máxima da porta-fonte (Vgs) de ±30VO IRFP4668PBF MOSFET tem uma carga de portão (Qg) de 241nC a uma tensão de portão-fonte (Vgs) de 10V.Este parâmetro indica a quantidade de carga necessária para ligar e desligar eficientemente o MOSFET.
Com uma capacitância de entrada (Ciss) de 10,720 pF a uma tensão de descarga para a fonte (Vds) de 50V, este MOSFET fornece uma carga capacitiva adequada para circuitos de acionamento.Funcionamento numa ampla gama de temperaturas de -55°C a 175°C (TJ), o IRFP4668PBF pode suportar condições ambientais variadas.O MOSFET de canal N IRFP4668PBF da Infineon é um produto ativoCom sua alta dissipação de energia de 520W (Tc), ele pode lidar com níveis de potência substanciais de forma eficaz.
Características técnicas:
| Características | Especificações |
|---|---|
| Fabricante | Infineon |
| Categoria | Produtos de semicondutores discretos |
| Tipo de transistor | FET, MOSFET |
| Série | HEXFET |
| Pacote | Tubos |
| Estatuto do produto | Atividade |
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de escoamento para fonte (Vdss) | 200 V |
| Corrente de escoamento contínua (Id) @ 25°C | 130A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.7mOhm @ 81A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 241 nC @ 10V |
| Vgs (máximo) | ± 30V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 10720 pF @ 50V |
| Característica FET | - |
| Dissipação de energia (máximo) | 520 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa | TO-247-3 |
| Número do produto de base | IRFP4668 |