STF12N65M5 MOSFET N-Channel IC 650V 8.5A através do buraco TO-220FP
A partir de 1 de janeiro de 2015
,Através do canal N do MOSFET IC
,TO-220FP N Canal MOSFET IC
MOSFET N-Channel de alta potência para aplicações de comutação eficientes
Melhore a sua eletrónica de potência com o MOSFET STF12N65M5 da STMicroelectronics. Este transistor de alta potência foi concebido para aplicações de comutação eficientes,fornecendo um desempenho confiável e versátilO STF12N65M5 pertence à série MDmeshTM V e possui um pacote TO-220FP de buraco, garantindo uma fácil integração em vários projetos de circuitos.É adequado para aplicações que exijam uma tensão de descarga para a fonte (Vdss) de 650 V e uma corrente de descarga contínua (Id) de 8.5A a 25°C.
STMicroelectronics STF12N65M5 - MOSFET N-Channel confiável e versátil
Com uma tensão máxima de acionamento de 10V, o STF12N65M5 apresenta uma resistência máxima em estado de funcionamento (Rds On) de 430mOhm a uma Id de 4.3A e Vgs de 10V.Esta baixa resistência em estado de funcionamento permite uma manipulação eficiente da energia e redução da dissipação de energiaO MOSFET possui uma tensão de limiar de porta (Vgs(th)) de 5V a uma Id de 250μA e uma carga de porta (Qg) de 22nC a uma Vgs de 10V.Estas características garantem um controlo óptimo e um desempenho de comutação eficiente.
Com um Vgs máximo de ±25V e uma capacitância de entrada (Ciss) de 900pF a um Vds de 100V, este MOSFET fornece um desempenho robusto em aplicações exigentes.Tem uma dissipação de energia (Pd) de 25 W e uma temperatura de funcionamento (TJ) de até 150 °CO MOSFET STF12N65M5 da STMicroelectronics foi concebido e fabricado por uma marca de confiança conhecida pela sua qualidade e fiabilidade.Atualize sua eletrônica de potência com o MOSFET STF12N65M5 N-Channel confiável e eficiente.
Características técnicas:
| Características | Especificações |
|---|---|
| Tipo de FET | N-canal |
| Tecnologia | MOSFET (óxido metálico) |
| Voltagem de saída para a fonte (Vdss) | 650 V |
| Corrente - drenagem contínua (Id) | 8.5A (Tc) |
| Tensão de accionamento (max Rds On, min Rds On) | 10 V |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 430 mOhm @ 4.3A, 10V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250μA |
| Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Vgs (máximo) | ± 25V |
| Capacidade de entrada (Ciss) (Max) @ Vds | 900 pF @ 100 V |
| Dissipação de energia (máximo) | 25 W (Tc) |
| Temperatura de funcionamento | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem | Através do Buraco |
| Embalagem / Caixa | TO-220-5 Embalagem completa |
| Número do produto de base | STF12 |