MOSFET poderoso para a eletrônica de grande eficacia

Descrição IRF630: Obtenha o grande desempenho de seu circuito

O MOSFET IRF630 é um dispositivo poderoso que entregue a eficiência elevada e o desempenho superior para todas suas necessidades da eletrônica. Projetou segurar tensões até 200V e as correntes até 9.5A, este transistor são perfeitas para o uso em uma vasta gama de aplicações, incluindo fontes de alimentação, controlo do motor, e amplificadores audio. Caracterizando uma baixas carga e em-resistência da porta, o IRF630 permite um interruptor mais rápido e o consumo de potência reduzido, fazendo lhe uma escolha ideal para projetos energia-eficientes. Adicionalmente, a construção áspera do MOSFET e a resistência de alta temperatura para assegurar a operação segura sob mesmo as circunstâncias as mais intensas. Se você é um entusiasta ou um profissional da eletrônica, o MOSFET IRF630 é uma escolha excelente para seu projeto seguinte.

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Características técnicas:

• Tecnologia: Si
• Montando o estilo: Através do furo
• Pacote/caso: TO-220-3
• Polaridade do transistor: N-canal
• Número de canais: 1 canal
• Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte: 200 V
• Identificação - corrente contínua do dreno: 9 A
• RDS - na resistência da Dreno-fonte: 400 mOhms
• Vgs - tensão da Porta-fonte: - 20 V, + 20 V
• Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte: 2 V
• Qg - carga da porta: 31 nC
• Temperatura de funcionamento mínima: - 65 C
• Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
• Paládio - dissipação de poder: 75 W
• Modo do canal: Realce
• Série: IRF630
• Empacotamento: Tubo
• Tipo: STMicroelectronics
• Configuração: Único
• Transcondutância dianteira - minuto: 3 S
• Altura: 9,15 milímetros
• Comprimento: 10,4 milímetros
• Tipo de produto: MOSFET
• Tempo de elevação: 15 ns