IRG4PH50UD ISOLADOS BLOQUEIAM O TRANSISTOR BIPOLAR COM O DIODO MACIO ULTRAFAST DA RECUPERAÇÃO

Profissionais - e - contra de comprar IRG4PH50UD para seus dispositivos eletrónicos

Se você está olhando para promover sua eletrônica, o IRG4PH50UD pode ser uma grande escolha. Como um transistor do MOSFET do poder, projetou para o elevado desempenho e a eficiência em uma escala de aplicações. Estão aqui alguns profissionais - e - contra a considerar antes que você compre:

Profissionais:

- Avaliações de poder superior, com um Vds máximo de 600V e avaliação atual contínua de 49A

- Baixa resistência do em-estado e velocidades de comutação rápidas para a eficiência melhorada

- Projeto inteligente com características incorporados como diodos antiparalelos e proteção do porta-à-dreno

- Apropriado para o uso em uma escala da eletrônica, das movimentações do motor às fontes de alimentação

Contra:

- O superaquecimento inclinado se não usou-se corretamente, que pode reduzir o desempenho e o tempo

- maio exige alguns circuitos do apoio adicional ou refrigerar para operar-se a níveis ótimos

- Relativamente caro comparado a outros transistor no mercado

Total, o IRG4PH50UD é um transistor de alta qualidade do MOSFET do poder que possa entregar resultados impressionantes em seus projetos da eletrônica. Apenas para certificar-se usá-lo de acordo com as diretrizes do fabricante para os melhores resultados.

Detalhes técnicos:

• Montando o estilo: Através do furo
• Tensão máxima do emissor da porta: 20 V
• Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
• Temperatura de funcionamento máximo: +150 C
• Pacote: TO-247-3
• Comprimento: 15,9 MILÍMETROS
• Empacotamento: 400
• Altura: 20,3 MILÍMETROS
• Largura: 5,3 MILÍMETROS
• Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 3,7 V
• Corrente de coletor contínua CI máxima: 45 A