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Módulo de alta velocidade LKW40N120H3 prático do transistor de Infineon IGBT

Categoria:
Módulo do transistor de IGBT
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Número da peça:
LKW40N120H3
TIPO:
INFINEON
Tipo:
transistor do igbt
Características:
Alta velocidade
Circunstância:
Novo
Preço:
Consult us
Destacar:

Módulo do transistor de Infineon IGBT

,

Módulo prático do transistor de IGBT

,

LKW40N120H3 IGBT de alta velocidade

Introdução

Compra LKW40N120H3 para o desempenho poderoso da eletrônica

Profissionais - e - contra do transistor LKW40N120H3

 

Procurando um transistor poderoso para aumentar seu desempenho da eletrônica? Considere o LKW40N120H3. Este transistor vangloria-se de uma avaliação de alta tensão, fazendo o ideal para o uso em uma variedade de aplicações, do interruptor de uso geral ao controlo do motor. Um dos profissionais os mais grandes do LKW40N120H3 está a sua velocidade de comutação rápida. Isto significa que pode rapidamente transição no meio e fora de estados, permitindo o desempenho eficiente e seguro através de uma escala de aplicações.

 

Adicionalmente, suas capacidades de manipulação atuais altas permitem que opere-se facilmente mesmo em dispositivos eletrónicos de exigência. Contudo, é importante notar que o LKW40N120H3 tem alguns inconvenientes potenciais. Um é seu custo relativamente alto comparado a outros transistor, que não podem lhe fazer a melhor escolha para compradores orçamento-conscientes. Adicionalmente, pode exigir testes extensivos e ajustamento para assegurar o desempenho ótimo em sistemas eletrônicos complexos.

 

Total, o LKW40N120H3 é um transistor poderoso e seguro para aqueles que olham para aumentar seu desempenho da eletrônica. Quando puder vir com um preço mais alto e exigir algum esforço extra para aperfeiçoar, suas velocidade de comutação rápida e capacidades de manipulação atuais altas fazem-lhe bem o valor que considera para uma vasta gama de aplicações.

 

Detalhes técnicos:

  • Fabricante: Infineon
  • Categoria de produto: Transistor de IGBT
  • Tecnologia: Si
  • Pacote/caso: TO-247-3
  • Montando o estilo: Através do furo
  • Configuração: Único
  • Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 1,2 quilovolts
  • Tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,05 V
  • Tensão máxima do emissor da porta: - 20 V, + 20 V
  • Corrente de coletor contínua em 25 C: 80 A
  • Paládio - dissipação de poder: 483 W
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 40 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 175 C
  • Série: Trenchstop IGBT4
  • Empacotamento: Tubo
  • Tipo: Infineon Technologies
  • Corrente de coletor contínua CI máxima: 80 A
  • Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 600
  • Tipo de produto: Transistor de IGBT
  • Subcategoria: IGBTs
  • Tradename: TRENCHSTOP
  • Peso de unidade: 38 g
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Resíduos:
In Stock
MOQ:
1