Canal IGBT da série 43A 1200V N do NPT, anti Hyperfast diodo paralelo de HGTG11N120CND
canal IGBT de 43A N
,canal IGBT de 1200V N
,HGTG11N120CND
Compra HGTG11N120CND: A solução final para o interruptor de alta potência
Profissionais - e - contra de HGTG11N120CND: É valor o investimento?
Você está procurando uma solução de comutação de alta potência segura? Olhe não mais adicional do que HGTG11N120CND. Este dispositivo é projetado segurar as cargas de alta tensão e atuais, fazendo lhe um favorito entre entusiastas e peritos eletrônicos.
Profissionais:
- Capacidades de manipulação de alta tensão e atuais
- Velocidade de comutação rápida para o desempenho ótimo
- Baixa tensão de saturação do coletor-à-emissor para o uso eficaz da energia
- Projeto robusto e durável para tempo prolongado - compatível com uma variedade de aplicações eletrônicas
Contra:
- Relativamente caro comparado a algumas outras opções de comutação de alta potência
- Pode exigir conhecimento técnico avançado instalar corretamente e operar-se
Total, HGTG11N120CND representa um investimento contínuo para aqueles com necessidade de um dispositivo de comutação de alta potência seguro. Com desempenho e uso eficaz da energia excelentes, este dispositivo é certo entregar resultados. Contudo, é importante notar que seus ponto do preço e exigências técnicas não podem ser ideais para todos os usuários.
Detalhes técnicos:
- Fabricante: onsemi
- Categoria de produto: Transistor de IGBT
- RoHS: Detalhes
- Tecnologia: Si
- Pacote/caso: TO-247-3
- Montando o estilo: Através do furo
- Configuração: Único
- Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 1,2 quilovolts
- Tensão de saturação do Coletor-emissor: 2,1 V
- Tensão máxima do emissor da porta: - 20 V, + 20 V
- Corrente de coletor contínua em 25 C: 43 A
- Paládio - dissipação de poder 298 W
- Temperatura de funcionamento mínima: - 55 C
- Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
- Série: HGTG11N120CND
- Empacotamento: Tubo
- Tipo: onsemi/Fairchild
- Coletor contínuo
- Atual: 55 A
- Corrente de coletor contínua CI máxima: 43 A
- Corrente do escapamento do Porta-emissor: +/- nA 250
- Altura: 20,82 milímetros
- Comprimento: 15,87 milímetros
- Tipo de produto: Transistor de IGBT
- Subcategoria: IGBTs
- Largura: 4,82 milímetros
- Parte # pseudônimos: HGTG11N120CND_NL
- Peso de unidade: 6.390 g