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Poder superior do módulo do transistor de FP150R07N3E4_B11 IGBT prático

Categoria:
Módulo do transistor de IGBT
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Número da peça:
FP150R07N3E4_B11
TIPO:
INFINEON
Tipo:
Módulo de IGBT
Características:
De alta potência
Circunstância:
Novo
original:
SIM
Destacar:

Módulo do transistor de FP150R07N3E4_B11 IGBT

,

Módulo do transistor do poder superior IGBT

,

Módulo prático do poder superior IGBT

Introdução

Módulo de alta potência de IGBT

Impulsione seu projeto da eletrônica com o FP150R07N3E4_B11

 

O FP150R07N3E4_B11 é um módulo de alta potência de IGBT que seja perfeito para impulsionar seu projeto da eletrônica. Com uma saída poderosa de 150A e de 650V, este módulo de IGBT pode segurar aplicações de alta potência facilmente. Estão aqui alguns dos profissionais - e - contra do FP150R07N3E4_B11:

 

Profissionais:

- A saída de poder superior faz ideal para aplicações de exigência

- A frequência de comutação alta permite a operação rápida e eficiente

- Ajudas incorporados do sensor de temperatura para impedir superaquecer

- O projeto robusto assegura a operação segura mesmo em ambientes ásperos

 

Contra:

- Um custo mais alto comparou aos módulos menores de IGBT

- O tamanho volumoso não pode ser ideal para projetos compactos apesar de seu custo mais alto e o tamanho volumoso, o FP150R07N3E4_B11 oferece o desempenho imbatível para aplicações de alta potência. Seus projeto robusto e sensor de temperatura incorporado fazem-lhe uma escolha segura para projetos da eletrônica.

 

Se você é um entusiasta de DIY ou um engenheiro eletrónico profissional, o FP150R07N3E4_B11 é uma escolha excelente para impulsionar seu projeto seguinte.

 

Especificações:

  • Categoria de produto: Módulos de IGBT
  • RoHS: Detalhes
  • Produto: Módulos do silicone de IGBT
  • Configuração: Inversor da 3-fase
  • Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: 650 V
  • Tensão de saturação do Coletor-emissor: 1,55 V
  • Corrente de coletor contínua em 25 C: 150 A
  • Corrente do escapamento do Porta-emissor: nA 400
  • Paládio - dissipação de poder: 430 W
  • Temperatura de funcionamento mínima: - 40 C
  • Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
  • Empacotamento: Bandeja
  • Tipo: Infineon Technologies
  • Tipo de produto: Módulos de IGBT
  • Série: Trincheira/Fieldstop IGBT4 - E4
  • Subcategoria: IGBTs
  • Tradename: EconoPIM PressFIT
  • Peso de unidade: 300 g
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Resíduos:
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MOQ:
1