Largura estável 4.9mm do poder superior do módulo BUP314D do transistor de Infineon IGBT
Módulo estável do transistor de IGBT
,módulo do transistor de 4.9mm IGBT
,BUP314D
Eficiente e seguro: O transistor de alta potência de BUP314D
Profissionais - e - contra de usar o transistor de BUP314D em seus projetos da eletrônica
Procurando um transistor de alta potência para usar-se em seu projeto seguinte da eletrônica? Olhe não mais adicional do que o BUP314D. Este transistor eficiente e seguro oferece uma dissipação de poder máxima de 525 watts e uma corrente de coletor máxima de 40 ampères, fazendo lhe uma escolha ideal para as aplicações de comutação de alta potência que exigem épocas de comutação rápidas. Quando se trata dos profissionais de usar o BUP314D, suas eficiência e confiança são duas de suas vantagens mais grandes.
Os agradecimentos a seu consumo da baixa potência, este transistor podem ajudar a reduzir o consumo de energia total de um sistema da eletrônica, fazendo lhe uma opção mais a favor do meio ambiente. Adicionalmente, o desempenho seguro de BUP314D e o projeto robusto significam que pode suportar altas temperaturas e condições operacionais ásperas sem experimentar a falha ou a degradação. Quando o BUP314D oferecer benefícios numerosos, há alguns inconvenientes potenciais a considerar também. Um engodo potencial é que este transistor pode ser mais caro do que algumas outras opções de alta potência no mercado, que poderia lhe fazer com certeza projetos menos eficazes na redução de custos. Adicionalmente, suas dissipação de poder superior e corrente de coletor podem ser supérfluos para algumas aplicações, fazendo o desnecessariamente grande e volumoso.
Total, o BUP314D é um transistor deexecução que ofereça o desempenho eficiente e seguro para aplicações de comutação de alta potência. Se você está construindo um projeto novo da eletrônica a partir do zero ou está promovendo existente, este transistor poderoso é definidamente consideração do valor.
Detalhes técnicos:
- Fabricante: Infineon
- Categoria de produto: Transistor de IGBT
- Tecnologia: Si
- Pacote/caso: TO-218-3
- Montando o estilo: Através do furo
- Configuração: Único
- Tensão VCEO do emissor do coletor máxima: um máximo de 1,2 quilovolts
- Tensão do emissor da porta: - 20 V, + mínimo de 20 V
- Temperatura de funcionamento: - 55 C
- Temperatura de funcionamento máximo: + 150 C
- Empacotamento: Tubo
- Tipo: Infineon Technologies
- Corrente de coletor contínua CI máxima: 42 A
- Altura: 12.5mm
- Comprimento: 15mm
- Tipo de produto: Transistor de IGBT
- Subcategoria: IGBTs
- Largura: 4,9 milímetros