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Microplaqueta da fonte de alimentação do MOSFET 60V 30A, canal 79W TO-220-3 FQP30N06 de N

Categoria:
microplaqueta eletrônica do CI
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Tipo:
MOSFET do canal de N
TIPO:
MOSFET N-CH 60V 30A TO-220
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montando o tipo:
Através do furo
Pacote/caso:
TO-220-3
Drene à tensão da fonte (Vdss):
60V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C:
30A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
40mOhm @ 15A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
4V em 250uA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
25nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
945pF @ 25V
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
10V
Vgs (máximo):
±25V
Destacar:

microplaqueta da fonte de alimentação 60V

,

microplaqueta da fonte de alimentação 30A

,

FQP30N06

Introdução

Melhore sua fonte de alimentação com o MOSFET FQP30N06

Experimente a eficiência ímpar e o desempenho

 

Promova sua fonte de alimentação com FQP30N06 o MOSFET - o MOSFET do desempenho máximo para aplicações de alta tensão. Se você precisa de pôr aplicações de exigência ou sistemas de alta tensão, o FQP30N06 tem-no coberto. Com um dreno à tensão da fonte de até 60 V e à corrente contínua do dreno de 30A, este MOSFET poderoso do N-canal pode segurar as tarefas as mais desafiantes facilmente.

 

Feito com tecnologia do óxido de metal, o MOSFET FQP30N06 é serido idealmente para aplicações de alta tensão com uma capacidade da entrada de 945 PF. Vangloriando-se de um RDS máximo sobre de 40mOhm e de uma carga da porta de 25 nC, entrega a eficiência de primeira classe mesmo sob condições de carga pesada. Projetado para a montagem do através-furo, vem em um pacote TO-220-3, fazendo a fácil instalar. Nenhuma matéria as condições de trabalho, o MOSFET FQP30N06 pode segurá-lo. Com uma variação da temperatura de funcionamento de -55°C a 175°C, fica fresca mesmo sob as temperaturas as mais extremas. Promova seu hoje da fonte de alimentação com o MOSFET FQP30N06 e a eficiência ímpar e o desempenho da experiência. Não estabeleça para menos quando você pode ter o melhor.

 

 

Categoria

Produtos de semicondutor discretos

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Pacote

Tubo

Tipo do FET

N-canal

Tecnologia

MOSFET (óxido de metal)

Drene à tensão da fonte (Vdss)

60 V

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C

30A (Tc)

Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)

10V

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @

4V @ 250µA

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs

25 nC @ 10 V

Vgs (máximo)

±25V

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds

945 PF @ 25 V

Dissipação de poder (máxima)

79W (Tc)

Temperatura de funcionamento

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montando o tipo

Através do furo

Pacote/caso

TO-220-3

Número baixo do produto

FQP30

 

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Resíduos:
In Stock
MOQ:
1