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MOSFET de superfície IC do canal da montagem 135A P, BVDSS 25V-30V DMP34M4SPS-13

Categoria:
microplaqueta eletrônica do CI
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Tipo:
MOSFET
Tipo do pacote:
Montagem de superfície
Aplicação:
Uso geral
Temperatura de funcionamento:
-55°C 150°C (TJ)
Pacote/caso:
8-PowerTDFN
Tipo do FET:
P-canal
Drene à tensão da fonte (Vdss):
30V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C:
135A (Tc)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
3.8mOhm @ 20A, 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
2.6V @ 250uA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
127nC @ 10V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
3775pF @ 15V
Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On):
5V, 10V
Vgs (máximo):
±25V
Destacar:

MOSFET de superfície IC do canal da montagem P

,

MOSFET IC do canal de 135A P

,

DMP34M4SPS-13

Introdução

Impulsione o desempenho do seu dispositivo com P-canal 30V 34A 8SOP do MOSFET de DMP34M4SPS TPCA8128

Aperfeiçoe seu interruptor da bateria e da carga do caderno com qualidade superior DMP34M4SPS-13

 

Se você está olhando para impulsionar o desempenho de seu portátil e para melhorar sua vida da bateria, você precisa o MOSFET de DMP34M4SPS. Projetado com materiais de alta qualidade, este MOSFET do P-canal com um 30V, capacidade 21A é a solução final para seu dispositivo. Com desempenho de comutação excepcional e RDS minimizado (SOBRE), este MOSFET de DMP34M4SPS garante para entregar a eficiência máxima cada vez que você a usa. Se você precisa de controlar cargas da bateria ou do interruptor do seu caderno, este dispositivo da parte-série obterá o trabalho feito facilmente. Optar para DMP34M4SPS-13, e faça seu trabalho do portátil mais esperto, não mais duro.

 

 

Categoria de produto

MOSFET

Tecnologia

Si

Montando o estilo

SMD/SMT

Pacote/caso

PowerDI5060-8

Polaridade do transistor

P-canal

Número de canais

1 canal

Vds - tensão de divisão da Dreno-fonte

30 V

Identificação - corrente contínua do dreno

135 A

RDS - na resistência da Dreno-fonte

2,9 mOhms

Vgs - tensão da Porta-fonte

25 V

Th de Vgs - tensão do ponto inicial da Porta-fonte

2,6 V

Qg - carga da porta

127 nC

Temperatura de funcionamento mínima

- 55 C

Temperatura de funcionamento máximo

+ 150 C

Paládio - dissipação de poder

3 W

Modo do canal

Realce

Configuração

Único

Tipo do transistor

1 P-canal

Tempo de queda

160 ns

Tipo de produto

MOSFET

Tempo de elevação

4 ns

Tempo de atraso típico da volta-Fora

372 ns

Tempo de atraso de ligação típico

6,9 ns

 

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MOQ:
1