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MOSFET 600V 61.8A 400W do N-canal de TK62N60W K62N60W através da substituição de unidade IC da fonte de alimentação do furo TO-247

Categoria:
microplaqueta eletrônica do CI
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Tipo:
MOSFET
Temperatura de funcionamento:
-45 a +140
Montando o tipo:
Através do furo
Pacote/caso:
TO-247
Tipo do FET:
N-canal
Característica do FET:
Junção super
Drene à tensão da fonte (Vdss):
600 V
Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C:
61.8A (Ta)
RDS (máximo) @ na identificação, Vgs:
40mOhm @ 30.9A 10V
Identificação de Vgs (th) (máximo) @:
3.7V @ 3.1mA
Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs:
180 nC @ 10 V
Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds:
6500 PF @ 300 V
Introdução

Promova seu mineiro de ASIC com um FET original de Toshiba K62N60W

A de alta tensão, solução da Alto-amperagem para seu mineiro Control Board

 

Vista para fixar seu painel de controlo do mineiro de ASIC? O MOSFET da substituição da fonte de alimentação K62N60W de Bitmain de Toshiba original é a solução perfeita. Com suas capacidades de alta tensão e da alto-amperagem, este FET pode confortavelmente segurar correntes até de 600V e de 62A, fazendo lhe uma opção segura e segura para seus reparos. Este transistor é RoHS complacente, fazendo lhe uma solução sustentável para todas suas necessidades do reparo.

 

Sua versatilidade é ímpar, porque é de uso geral no equipamento de comunicação, redes prendidas, EPOS, computadores pessoais, e laptop. Com uma variação da temperatura larga de -40°C a 105°C, o transistor é construído para durar, fazendo lhe uma solução segura e eficaz na redução de custos. E agradecimentos a seu TO-247 pacote, é compacto e fácil segurar. Promova seu mineiro de ASIC hoje com um FET original de Toshiba K62N60W, e aprecie o desempenho e a confiança incomparáveis.

 

 

Categoria

Produtos de semicondutor discretos

Transistor - FETs, MOSFETs - únicos

Pacote

Tubo

Estado da parte

Ativo

Tipo do FET

N-canal

Tecnologia

MOSFET (óxido de metal)

Drene à tensão da fonte (Vdss)

600 V

Atual - dreno contínuo (identificação) @ 25°C

61.8A (Ta)

Tensão da movimentação (Max Rds On, Min Rds On)

10V

RDS (máximo) @ na identificação, Vgs

40mOhm @ 30.9A, 10V

Identificação de Vgs (th) (máximo) @

3.7V @ 3.1mA

Carga da porta (Qg) (máximo) @ Vgs

180 nC @ 10 V

Vgs (máximo)

±30V

Capacidade entrada (Ciss) (máximo) @ Vds

6500 PF @ 300 V

Característica do FET

Junção super

Dissipação de poder (máxima)

400W (Tc)

Temperatura de funcionamento

150°C (TJ)

Montando o tipo

Através do furo

Pacote do dispositivo do fornecedor

TO-247

Pacote/caso

TO-247-3

Número baixo do produto

TK62N60

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Resíduos:
In Stock
MOQ:
1