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CGC1S06510 TO-220 Diodos de barreira Schottky (SBD) 650V 10A 1,7V

Categoria:
microplaqueta eletrônica do CI
Em-estoque:
Em existência
Preço:
Negotiable
Especificações
Tipo:
MOSFET
Temperatura de funcionamento:
-55°C ~ 150°C
Montando o tipo:
Através do furo
Pacote/caso:
TO-220
Número da peça:
CGC1S06510
Circunstância:
Novo
Introdução

CGC1S06510 Diodo rápido Performance melhorada para seus dispositivos eletrônicos

Diga adeus à conversão ineficiente de energia com o nosso diodo de carburo de silício superior

 

Se você está procurando atualizar seus dispositivos eletrônicos para uma conversão de energia mais rápida e eficiente, o Diodo Rápido CGC1S06510 é a solução que você estava procurando.O nosso diodo de carburo de silício possui diodos Schottky para um desempenho superior em uma ampla gama de aplicaçõesCom uma alta tensão inversa de corrente contínua de 650 V e uma corrente de retificação média de 10 A, este diodo é ideal para a comutação de fontes de alimentação, correção do fator de potência e condutores de motor.

 

Além disso, o Diodo Rápido CGC1S06510 oferece inúmeras vantagens em relação aos diodos tradicionais.e características de comutação independentes da temperatura, você vai experimentar praticamente nenhuma perda de comutação e redução dos requisitos para radiadores.Não terá de se preocupar com dispositivos paralelos causando fuga térmica com o CGC1S06510 Diodo RápidoEntão, por que se contentar com uma conversão de energia lenta e ineficiente quando pode atualizar os seus dispositivos eletrónicos com o nosso diodo de carburo de silício superior?Encomende o CGC1S06510 Diodo Rápido hoje e experimente uma operação mais rápida, zero perdas de comutação e uma conversão de energia mais eficiente.

 

 

Número da parte

CGC1S06510

Pacote

TO-220

Fabricante

CEN.

Embalagem

Embalados em tubos

Voltagem - DC inversa (Vr) (máximo)

650 V

Corrente - média retificada (Io)

10A

Voltagem - para a frente (Vf) (máximo)

1.7V @ 10A

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Resíduos:
In Stock
MOQ:
1